Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IPD80R3K3P7ATMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IPD80R3K3P7ATMA1
Описание: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии CoolMOS™ P7
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) 3.5V @ 30µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 3.3Ohm @ 590mA, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 18W (Tc)
Пакет устройств поставщика PG-TO252-3
Заряд ворот (Кг) (Макс) 5.8nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 800V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 120pF @ 500V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 1.9A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 2281 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

IRFL4315TRPBF
Infineon Technologies
$0
IPN70R600P7SATMA1
Infineon Technologies
$0
BSZ065N03LSATMA1
Infineon Technologies
$0
BSP372NH6327XTSA1
Infineon Technologies
$0
IPD70R950CEAUMA1
Infineon Technologies
$0