Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IRF8915TR

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных: IRF8915TR
Описание: MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии HEXFET®
Тип FET 2 N-Channel (Dual)
Упаковки Tape & Reel (TR)
Функция FET Logic Level Gate
Статус части Obsolete
Мощность - Макс 2W
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (th) (Max) 2.5V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 18.3mOhm @ 8.9A, 10V
Пакет устройств поставщика 8-SO
Заряд ворот (Кг) (Макс) 7.4nC @ 4.5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 20V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 540pF @ 10V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 8.9A

На складе 93 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

NTHC5513T1
ON Semiconductor
$0
NTJD2152PT1
ON Semiconductor
$0
NTJD4001NT1
ON Semiconductor
$0
NTJD4401NT1
ON Semiconductor
$0
NTHD2102PT1
ON Semiconductor
$0