Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

RN1305,LF

Производителей: Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Лист данных: RN1305,LF
Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Toshiba Semiconductor and Storage
Категория продукции Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Серии -
Упаковки Tape & Reel (TR)
Статус части Active
Мощность - Макс 100mW
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело SC-70, SOT-323
Тип транзистора NPN - Pre-Biased
Сопротивление - База (R1) 2.2 kOhms
Частота - Переход 250MHz
Пакет устройств поставщика USM
Сопротивление - База Эмиттера (R2) 47 kOhms
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 100mA
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 500nA
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 50V

На складе 77 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.05 $0.05 $0.05
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

DDTC142TE-7-F
Diodes Incorporated
$0.28
DTD123YCHZGT116
ROHM Semiconductor
$0.17
RN1108MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RN2411,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
$0.19
RN2406,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
$0