Image is for reference only , details as Specifications

DCX114EU-13R-F

Производителей: Diodes Incorporated
Категория продукции: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Лист данных: DCX114EU-13R-F
Описание: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Diodes Incorporated
Категория продукции Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Серии -
Упаковки Tape & Reel (TR)
Статус части Active
Мощность - Макс 200mW
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Тип транзистора 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Сопротивление - База (R1) 10kOhms
Частота - Переход 250MHz
Пакет устройств поставщика SOT-363
Сопротивление - База Эмиттера (R2) 10kOhms
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 100mA
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 500nA (ICBO)
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 50V

На складе 56 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.03 $0.03 $0.03
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

NSVMMUN2136LT1G
ON Semiconductor
$0.02
NSBC143ZPDP6T5G
ON Semiconductor
$0
RN2703JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RN1711JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RN1602(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0