Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

DDA114EH-7

Производителей:	Diodes Incorporated
Категория продукции:	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Лист данных:	DDA114EH-7
Описание:	TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W SOT563
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Diodes Incorporated
Категория продукции	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Серии	-
Упаковки	Cut Tape (CT)
Статус части	Active
Мощность - Макс	150mW
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	SOT-563, SOT-666
Тип транзистора	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Сопротивление - База (R1)	10kOhms
Частота - Переход	250MHz
Пакет устройств поставщика	SOT-563
Сопротивление - База Эмиттера (R2)	10kOhms
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс)	100mA
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс)	-
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce	30 @ 5mA, 5V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс)	50V