Image is for reference only , details as Specifications

DDTA115GE-7-F

Производителей:	Diodes Incorporated
Категория продукции:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Лист данных:	DDTA115GE-7-F
Описание:	TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Diodes Incorporated
Категория продукции	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Серии	-
Упаковки	Tape & Reel (TR)
Статус части	Active
Мощность - Макс	150mW
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	SOT-523
Тип транзистора	PNP - Pre-Biased
Номер базовой части	DDTA115
Частота - Переход	250MHz
Пакет устройств поставщика	SOT-523
Сопротивление - База Эмиттера (R2)	100 kOhms
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс)	100mA
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс)	500nA (ICBO)
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce	82 @ 5mA, 5V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс)	50V