Image is for reference only , details as Specifications

DDTD114TC-7-F

Производителей:	Diodes Incorporated
Категория продукции:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Лист данных:	DDTD114TC-7-F
Описание:	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Diodes Incorporated
Категория продукции	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Серии	-
Упаковки	Tape & Reel (TR)
Статус части	Active
Мощность - Макс	200mW
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип транзистора	NPN - Pre-Biased
Номер базовой части	DTD114
Сопротивление - База (R1)	10 kOhms
Частота - Переход	200MHz
Пакет устройств поставщика	SOT-23-3
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic	300mV @ 2.5mA, 50mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс)	500mA
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс)	500nA (ICBO)
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce	100 @ 50mA, 5V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс)	50V