Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

DMG10N60SCT

Производителей: Diodes Incorporated
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: DMG10N60SCT
Описание: MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Diodes Incorporated
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии Automotive, AEC-Q101
Тип FET N-Channel
Упаковки Tube
Vgs (Макс) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Through Hole
Пакет / Дело TO-220-3
Vgs (th) (Max) 4V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 750mOhm @ 5A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 178W (Tc)
Пакет устройств поставщика TO-220AB
Заряд ворот (Кг) (Макс) 35nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 600V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 1587pF @ 16V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 12A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 55 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.21 $1.19 $1.16
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

FCP260N65S3
ON Semiconductor
$1.2
TK6A55DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
$1.2
IXTU01N100D
IXYS
$1.2
NTMFS5C410NLT1G
ON Semiconductor
$1.2
FCB260N65S3
ON Semiconductor
$1.2