Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

DMG3415UFY4Q-7

Производителей:	Diodes Incorporated
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	DMG3415UFY4Q-7
Описание:	MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Diodes Incorporated
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	-
Тип FET	P-Channel
Упаковки	Cut Tape (CT)
Vgs (Макс)	±8V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	3-XDFN
Vgs (th) (Max)	1V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	39mOhm @ 4A, 4.5V
Рассеивание мощности (Макс)	650mW (Ta)
Пакет устройств поставщика	X2-DFN2015-3
Заряд ворот (Кг) (Макс)	10nC @ 4.5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	16V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	282pF @ 10V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	2.5A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	1.8V, 4.5V