Image is for reference only , details as Specifications

DMG4N60SJ3

Производителей:	Diodes Incorporated
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	DMG4N60SJ3
Описание:	MOSFET NCH 600V 3A TO251
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Diodes Incorporated
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	-
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Tube
Vgs (Макс)	±30V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Obsolete
Тип монтажа	Through Hole
Пакет / Дело	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs (th) (Max)	4.5V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	2.5Ohm @ 2A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	41W (Tc)
Пакет устройств поставщика	TO-251
Заряд ворот (Кг) (Макс)	14.3nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	600V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	532pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	3A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	10V