Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

DMG4N60SJ3

Производителей: Diodes Incorporated
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: DMG4N60SJ3
Описание: MOSFET NCH 600V 3A TO251
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Diodes Incorporated
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии -
Тип FET N-Channel
Упаковки Tube
Vgs (Макс) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Obsolete
Тип монтажа Through Hole
Пакет / Дело TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs (th) (Max) 4.5V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 2.5Ohm @ 2A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 41W (Tc)
Пакет устройств поставщика TO-251
Заряд ворот (Кг) (Макс) 14.3nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 600V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 532pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 3A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 93 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

DMG4N60SCT
Diodes Incorporated
$0
NVTFS5820NLTAG
ON Semiconductor
$0
IPU80R1K4CEAKMA1
Infineon Technologies
$0
IPU80R2K8CEAKMA1
Infineon Technologies
$0
IPD60R380E6ATMA2
Infineon Technologies
$0