Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

DMG4N60SK3-13

Производителей:	Diodes Incorporated
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	DMG4N60SK3-13
Описание:	MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T&
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Diodes Incorporated
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	-
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Digi-Reel®
Vgs (Макс)	±30V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Obsolete
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max)	4.5V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	2.3Ohm @ 2A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	48W (Ta)
Пакет устройств поставщика	TO-252
Заряд ворот (Кг) (Макс)	14.3nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	600V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	532pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	3.7A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	10V