Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

DMG6601LVT-7

Производителей: Diodes Incorporated
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных: DMG6601LVT-7
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Diodes Incorporated
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии -
Тип FET N and P-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Функция FET Logic Level Gate
Статус части Active
Мощность - Макс 850mW
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Номер базовой части DMG6601
Vgs (th) (Max) 1.5V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 55mOhm @ 3.4A, 10V
Пакет устройств поставщика TSOT-26
Заряд ворот (Кг) (Макс) 12.3nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 422pF @ 15V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 3.8A, 2.5A

На складе 159595 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

SSM6N43FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
SSM6L36FE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
DMN62D0UDW-7
Diodes Incorporated
$0
NX3008PBKV,115
Nexperia USA Inc.
$0
SSM6N44FE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
$0