Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

DMG7N65SJ3

Производителей:	Diodes Incorporated
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	DMG7N65SJ3
Описание:	MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Diodes Incorporated
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	Automotive, AEC-Q101
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Tube
Vgs (Макс)	±30V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Through Hole
Пакет / Дело	TO-251-3, IPak, Short Leads
Vgs (th) (Max)	4V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	125W (Tc)
Пакет устройств поставщика	TO-251
Заряд ворот (Кг) (Макс)	25nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	650V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	886pF @ 50V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	5.5A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	10V