Image is for reference only , details as Specifications

DMG7N65SJ3

Производителей: Diodes Incorporated
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: DMG7N65SJ3
Описание: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Diodes Incorporated
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии Automotive, AEC-Q101
Тип FET N-Channel
Упаковки Tube
Vgs (Макс) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Through Hole
Пакет / Дело TO-251-3, IPak, Short Leads
Vgs (th) (Max) 4V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 125W (Tc)
Пакет устройств поставщика TO-251
Заряд ворот (Кг) (Макс) 25nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 650V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 886pF @ 50V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 5.5A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 63 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.82 $0.80 $0.79
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

NVMFS5C426NAFT3G
ON Semiconductor
$0.82
CMPDM303NH TR
Central Semiconductor Corp
$0
IRF640NSTRRPBF
Infineon Technologies
$0
RJK5030DPP-M0#T2
Renesas Electronics America
$0.82
NTMFS5C430NLT3G
ON Semiconductor
$0.82