Image is for reference only , details as Specifications

DMJ70H900HJ3

Производителей: Diodes Incorporated
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: DMJ70H900HJ3
Описание: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Diodes Incorporated
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии Automotive, AEC-Q101
Тип FET N-Channel
Упаковки Tube
Vgs (Макс) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Through Hole
Пакет / Дело TO-251-3, IPak, Short Leads
Vgs (th) (Max) 4V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 900mOhm @ 1.5A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 68W (Tc)
Пакет устройств поставщика TO-251
Заряд ворот (Кг) (Макс) 18.4nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 700V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 603pF @ 50V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 7A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 58 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.32 $1.29 $1.27
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

2SK3004
Sanken
$1.31
TK5A65D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
$1.3
TK3A65D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
$1.3
IXTP8N65X2
IXYS
$1.3
SUD45P03-09-GE3
Vishay / Siliconix
$0