Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

DMMT5551-7

Производителей: Diodes Incorporated
Категория продукции: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Лист данных: DMMT5551-7
Описание: TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Diodes Incorporated
Категория продукции Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Серии -
Упаковки Tape & Reel (TR)
Статус части Active
Мощность - Макс 300mW
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело SOT-23-6
Тип транзистора 2 NPN (Dual) Matched Pair
Номер базовой части DMMT5551
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Частота - Переход 300MHz
Пакет устройств поставщика SOT-26
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic 200mV @ 5mA, 50mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 200mA
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 50nA (ICBO)
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 160V

На складе 3000 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.08 $0.08 $0.08
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

MMDT4126-7
Diodes Incorporated
$0.08
HN1C01FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
BC857BV-TP
Micro Commercial Co
$0
HN4B04J(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
NST3906DP6T5G
ON Semiconductor
$0