Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

DMN1019USN-7

Производителей:	Diodes Incorporated
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	DMN1019USN-7
Описание:	MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Diodes Incorporated
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	-
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Digi-Reel®
Vgs (Макс)	±8V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (th) (Max)	800mV @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Рассеивание мощности (Макс)	680mW (Ta)
Пакет устройств поставщика	SC-59
Заряд ворот (Кг) (Макс)	50.6nC @ 8V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	12V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	2426pF @ 10V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	9.3A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	1.2V, 2.5V