Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

DMN1019UVT-7

Производителей:	Diodes Incorporated
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	DMN1019UVT-7
Описание:	MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Diodes Incorporated
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	-
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Digi-Reel®
Vgs (Макс)	±8V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs (th) (Max)	800mV @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Рассеивание мощности (Макс)	1.73W (Ta)
Пакет устройств поставщика	TSOT-26
Заряд ворот (Кг) (Макс)	50.4nC @ 8V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	12V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	2588pF @ 10V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	10.7A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	1.2V, 4.5V