Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

DMN10H099SFG-13

Производителей:	Diodes Incorporated
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	DMN10H099SFG-13
Описание:	MOSFET N-CH 100V 4.2A
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Diodes Incorporated
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	-
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Tape & Reel (TR)
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	8-PowerVDFN
Vgs (th) (Max)	3V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	80mOhm @ 3.3A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	980mW (Ta)
Пакет устройств поставщика	PowerDI3333-8
Заряд ворот (Кг) (Макс)	25.2nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	100V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	1172pF @ 50V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	4.2A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	6V, 10V