Image is for reference only , details as Specifications

DMN2011UFDE-7

Производителей: Diodes Incorporated
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: DMN2011UFDE-7
Описание: MOSFET N-CH 20V 11.7A UDFN2020-6
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Diodes Incorporated
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии -
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±12V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 6-UDFN Exposed Pad
Номер базовой части DMN2011
Vgs (th) (Max) 1V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Рассеивание мощности (Макс) 610mW (Ta)
Пакет устройств поставщика U-DFN2020-6 (Type E)
Заряд ворот (Кг) (Макс) 56nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 20V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 2248pF @ 10V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 11.7A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 1.5V, 4.5V

На складе 14827 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

TSM900N10CP ROG
Taiwan Semiconductor Corporation
$0
DMN10H099SK3-13
Diodes Incorporated
$0
PSMN7R5-30YLDX
Nexperia USA Inc.
$0
SIA468DJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
BUK9277-55A,118
Nexperia USA Inc.
$0.65