DMN2013UFX-7
Производителей: | Diodes Incorporated |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Лист данных: | DMN2013UFX-7 |
Описание: | MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | Diodes Incorporated |
Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Серии | Automotive, AEC-Q101 |
Тип FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Упаковки | Tape & Reel (TR) |
Функция FET | Standard |
Статус части | Active |
Мощность - Макс | 2.14W |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет / Дело | 6-VFDFN Exposed Pad |
Vgs (th) (Max) | 1.1V @ 250µA |
Операционная температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Макс) - Id, Vgs | 11.5mOhm @ 8.5A, 4.5V |
Пакет устройств поставщика | W-DFN5020-6 |
Заряд ворот (Кг) (Макс) | 57.4nC @ 8V |
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 20V |
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 2607pF @ 10V |
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 10A (Ta) |
На складе 95 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.25 | $0.25 | $0.24 |
Минимальный: 1