Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

DMN2014LHAB-7

Производителей: Diodes Incorporated
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных: DMN2014LHAB-7
Описание: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Diodes Incorporated
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии -
Тип FET 2 N-Channel (Dual)
Упаковки Tape & Reel (TR)
Функция FET Logic Level Gate
Статус части Active
Мощность - Макс 800mW
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 6-UFDFN Exposed Pad
Vgs (th) (Max) 1.1V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 13mOhm @ 4A, 4.5V
Пакет устройств поставщика U-DFN2030-6 (Type B)
Заряд ворот (Кг) (Макс) 16nC @ 4.5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 20V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 1550pF @ 10V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 9A

На складе 3000 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.17 $0.17 $0.16
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

NTLUD3A260PZTAG
ON Semiconductor
$0
SIA906EDJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0.61
US6K2TR
ROHM Semiconductor
$0
NTMD4840NR2G
ON Semiconductor
$0.26
SI5948DU-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0