Image is for reference only , details as Specifications

DMN3016LDN-13

Производителей: Diodes Incorporated
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных: DMN3016LDN-13
Описание: MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Diodes Incorporated
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии -
Тип FET 2 N-Channel (Dual)
Упаковки Tape & Reel (TR)
Функция FET Standard
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 8-PowerVDFN
Vgs (th) (Max) 2V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 20mOhm @ 11A, 10V
Пакет устройств поставщика V-DFN3030-8 (Type J)
Заряд ворот (Кг) (Макс) 11.3nC @ 4.5V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 1415pF @ 15V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 9.2A (Ta)

На складе 79 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.16 $0.16 $0.15
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

CWDM305PD TR13
Central Semiconductor Corp
$0.16
FDG6332C-F085P
ON Semiconductor
$0.16
PMDPB80XP,115
Nexperia USA Inc.
$0
PMDPB85UPE,115
Nexperia USA Inc.
$0
PMDPB70XP,115
Nexperia USA Inc.
$0