Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

DMN3022LDG-13

Производителей:	Diodes Incorporated
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных:	DMN3022LDG-13
Описание:	MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Diodes Incorporated
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии	-
Тип FET	2 N-Channel (Dual)
Упаковки	Tape & Reel (TR)
Функция FET	Standard
Статус части	Active
Мощность - Макс	1.96W (Ta)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	8-PowerLDFN
Vgs (th) (Max)	2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	22mOhm @ 10A, 5V, 8mOhm @ 10A, 5V
Пакет устройств поставщика	PowerDI3333-8 (Type D)
Заряд ворот (Кг) (Макс)	3.7nC @ 4.5V, 8nC @ 4.5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	481pF @ 15V, 996pF @ 15V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	7.6A (Ta), 15A (Tc)