Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

DMN3110LCP3-7

Производителей:	Diodes Incorporated
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	DMN3110LCP3-7
Описание:	MOSFET N-CH 30V 3.2A X2DFN1006-3
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Diodes Incorporated
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	-
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Tape & Reel (TR)
Vgs (Макс)	12V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	3-XFDFN
Vgs (th) (Max)	1.1V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	69mOhm @ 500mA, 8V
Рассеивание мощности (Макс)	1.38W
Пакет устройств поставщика	X2-DFN1006-3
Заряд ворот (Кг) (Макс)	1.52nC @ 4.5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	150pF @ 15V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	3.2A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	1.8V, 8V