Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

DMN3190LDW-13

Производителей: Diodes Incorporated
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных: DMN3190LDW-13
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Diodes Incorporated
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии -
Тип FET 2 N-Channel (Dual)
Упаковки Digi-Reel®
Функция FET Logic Level Gate
Статус части Active
Мощность - Макс 320mW
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vgs (th) (Max) 2.8V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 190mOhm @ 1.3A, 10V
Пакет устройств поставщика SOT-363
Заряд ворот (Кг) (Макс) 2nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 87pF @ 20V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 1A

На складе 68151 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

2N7002DW-7-F
Diodes Incorporated
$0
DMN63D8LDW-7
Diodes Incorporated
$0
NTJD5121NT1G
ON Semiconductor
$0
STS4DNF60L
STMicroelectronics
$0
MMUN2111LT3G
ON Semiconductor
$0