Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

DMN90H8D5HCT

Производителей: Diodes Incorporated
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: DMN90H8D5HCT
Описание: MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Diodes Incorporated
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии -
Тип FET N-Channel
Упаковки Tube
Vgs (Макс) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Through Hole
Пакет / Дело TO-220-3
Vgs (th) (Max) 5V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 7Ohm @ 1A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 125W (Tc)
Пакет устройств поставщика TO-220AB
Заряд ворот (Кг) (Макс) 7.9nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 900V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 470pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 2.5A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 80 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.12 $1.10 $1.08
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

SIDR402DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
STD10LN80K5
STMicroelectronics
$1.11
R6006JNXC7G
ROHM Semiconductor
$1.1
STI6N80K5
STMicroelectronics
$1.1
SIE882DF-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0