Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

DMS2120LFWB-7

Производителей:	Diodes Incorporated
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	DMS2120LFWB-7
Описание:	MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Diodes Incorporated
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	-
Тип FET	P-Channel
Упаковки	Tape & Reel (TR)
Vgs (Макс)	±12V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	Schottky Diode (Isolated)
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	8-VDFN Exposed Pad
Vgs (th) (Max)	1.3V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	95mOhm @ 2.8A, 4.5V
Рассеивание мощности (Макс)	1.5W (Ta)
Пакет устройств поставщика	8-DFN3020B (3x2)
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	20V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	632pF @ 10V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	2.9A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	1.8V, 4.5V