Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

DMT10H025SSS-13

Производителей:	Diodes Incorporated
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	DMT10H025SSS-13
Описание:	MOSFETN-CHAN 100V SO-8
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Diodes Incorporated
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	-
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Cut Tape (CT)
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (th) (Max)	4V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	23mOhm @ 20A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	1.4W (Ta)
Пакет устройств поставщика	8-SO
Заряд ворот (Кг) (Макс)	21.4nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	100V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	1544pF @ 50V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	7.4A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	6V, 10V