Image is for reference only , details as Specifications

DMT8012LFG-13

Производителей:	Diodes Incorporated
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	DMT8012LFG-13
Описание:	MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Diodes Incorporated
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	-
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Tape & Reel (TR)
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	8-PowerVDFN
Vgs (th) (Max)	3V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	16mOhm @ 12A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	2.2W (Ta), 30W (Tc)
Пакет устройств поставщика	PowerDI3333-8
Заряд ворот (Кг) (Макс)	34nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	80V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	1949pF @ 40V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	9.5A (Ta), 35A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	6V, 10V