Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

DRDNB16W-7

Производителей:	Diodes Incorporated
Категория продукции:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Лист данных:	DRDNB16W-7
Описание:	TRANS PREBIAS NPN/DIODE SOT363
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Diodes Incorporated
Категория продукции	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Серии	-
Упаковки	Digi-Reel®
Статус части	Active
Мощность - Макс	200mW
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Тип транзистора	NPN - Pre-Biased + Diode
Номер базовой части	DRDNB16
Сопротивление - База (R1)	1 kOhms
Частота - Переход	200MHz
Пакет устройств поставщика	SOT-363
Сопротивление - База Эмиттера (R2)	10 kOhms
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic	300mV @ 2.5mA, 50mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс)	600mA
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс)	500nA
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce	56 @ 50mA, 5V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс)	50V