Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

ZXMN3A06DN8TA

Производителей: Diodes Incorporated
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных: ZXMN3A06DN8TA
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Diodes Incorporated
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии -
Тип FET 2 N-Channel (Dual)
Упаковки Cut Tape (CT)
Функция FET Logic Level Gate
Статус части Active
Мощность - Макс 1.8W
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (th) (Max) 1V @ 250µA (Min)
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 35mOhm @ 9A, 10V
Пакет устройств поставщика 8-SO
Заряд ворот (Кг) (Макс) 17.5nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 796pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 4.9A

На складе 1363 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.12 $1.10 $1.08
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

FDS4501H
ON Semiconductor
$0
CSD86311W1723
NA
$1.11
SQJ262EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
$0
SIZ704DT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
IRF7304
Infineon Technologies
$1.09