Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

ZXMN3B04N8TA

Производителей:	Diodes Incorporated
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	ZXMN3B04N8TA
Описание:	MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Diodes Incorporated
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	-
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Cut Tape (CT)
Vgs (Макс)	±12V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (th) (Max)	700mV @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	25mOhm @ 7.2A, 4.5V
Рассеивание мощности (Макс)	2W (Ta)
Пакет устройств поставщика	8-SO
Заряд ворот (Кг) (Макс)	23.1nC @ 4.5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	2480pF @ 15V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	7.2A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	2.5V, 4.5V