Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

EPC2012C

Производителей:	EPC
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	EPC2012C
Описание:	GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	EPC
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	eGaN®
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Digi-Reel®
Vgs (Макс)	+6V, -4V
Технологии	GaNFET (Gallium Nitride)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	Die
Vgs (th) (Max)	2.5V @ 1mA
Операционная температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	100mOhm @ 3A, 5V
Рассеивание мощности (Макс)	-
Пакет устройств поставщика	Die Outline (4-Solder Bar)
Заряд ворот (Кг) (Макс)	1.3nC @ 5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	200V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	140pF @ 100V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	5A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	5V