Image is for reference only , details as Specifications

EPC2018

Производителей: EPC
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: EPC2018
Описание: GANFET TRANS 150V 12A BUMPED DIE
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя EPC
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии eGaN®
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) +6V, -5V
Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
Функция FET -
Статус части Discontinued at Digi-Key
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело Die
Vgs (th) (Max) 2.5V @ 3mA
Операционная температура -40°C ~ 125°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 25mOhm @ 6A, 5V
Рассеивание мощности (Макс) -
Пакет устройств поставщика Die
Заряд ворот (Кг) (Макс) 7.5nC @ 5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 150V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 540pF @ 100V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 12A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 5V

На складе 69 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

SIA439EDJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SI5415EDU-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SI2392DS-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
UPA2821T1L-E1-AT
Renesas Electronics America
$0
UPA2813T1L-E2-AT
Renesas Electronics America
$0