Image is for reference only , details as Specifications

EPC2029

Производителей: EPC
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: EPC2029
Описание: GANFET TRANS 80V 31A BUMPED DIE
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя EPC
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии eGaN®
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) +6V, -4V
Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело Die
Vgs (th) (Max) 2.5V @ 12mA
Операционная температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 3.2mOhm @ 30A, 5V
Рассеивание мощности (Макс) -
Пакет устройств поставщика Die
Заряд ворот (Кг) (Макс) 13nC @ 5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 80V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 1410pF @ 40V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 48A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 5V

На складе 4155 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

2SK3557-7-TB-E
ON Semiconductor
$0
MMBFJ309
ON Semiconductor
$0
MMBFJ310
ON Semiconductor
$0
SMMBFJ310LT1G
ON Semiconductor
$0
CGHV59350F
Cree Wolfspeed
$1228.94