EPC2101
Производителей: | EPC |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Лист данных: | EPC2101 |
Описание: | GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | EPC |
Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Серии | eGaN® |
Тип FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Упаковки | Digi-Reel® |
Функция FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
Статус части | Active |
Мощность - Макс | - |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет / Дело | Die |
Vgs (th) (Max) | 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA |
Операционная температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Макс) - Id, Vgs | 11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V |
Пакет устройств поставщика | Die |
Заряд ворот (Кг) (Макс) | 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V |
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 60V |
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V |
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 9.5A, 38A |
На складе 9956 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Минимальный: 1