Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

EPC2101ENG

Производителей: EPC
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных: EPC2101ENG
Описание: GAN TRANS 2N-CH 60V BUMPED DIE
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя EPC
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии eGaN®
Тип FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Упаковки Tray
Функция FET GaNFET (Gallium Nitride)
Статус части Discontinued at Digi-Key
Мощность - Макс -
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело Die
Vgs (th) (Max) 2.5V @ 2mA
Операционная температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 11.5mOhm @ 20A, 5V
Пакет устройств поставщика Die
Заряд ворот (Кг) (Макс) 2.7nC @ 5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 60V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 300pF @ 30V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 9.5A, 38A

На складе 65 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

EPC2100ENG
EPC
$0
NVMFD5853NWFT1G
ON Semiconductor
$0
NVMFD5489NLWFT3G
ON Semiconductor
$0
NVMFD5489NLT3G
ON Semiconductor
$0
MCH6603-TL-H
ON Semiconductor
$0