Image is for reference only , details as Specifications

EPC2102ENGRT

Производителей:	EPC
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных:	EPC2102ENGRT
Описание:	GANFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	EPC
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии	eGaN®
Тип FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Упаковки	Digi-Reel®
Функция FET	GaNFET (Gallium Nitride)
Статус части	Active
Мощность - Макс	-
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	Die
Vgs (th) (Max)	2.5V @ 7mA
Операционная температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	4.4mOhm @ 20A, 5V
Пакет устройств поставщика	Die
Заряд ворот (Кг) (Макс)	6.8nC @ 5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	60V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	830pF @ 30V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	23A (Tj)