Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

EPC2104ENGRT

Производителей: EPC
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных: EPC2104ENGRT
Описание: GANFET 2NCH 100V 23A DIE
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя EPC
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии eGaN®
Тип FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Упаковки Digi-Reel®
Функция FET GaNFET (Gallium Nitride)
Статус части Discontinued at Digi-Key
Мощность - Макс -
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело Die
Vgs (th) (Max) 2.5V @ 5.5mA
Операционная температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 6.3mOhm @ 20A, 5V
Пакет устройств поставщика Die
Заряд ворот (Кг) (Макс) 7nC @ 5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 100V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 800pF @ 50V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 23A

На складе 927 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

IRF7309TRPBF
Infineon Technologies
$0.3
IRF7313TRPBF
Infineon Technologies
$0
IRF7379TRPBF
Infineon Technologies
$0
IRF7328TRPBF
Infineon Technologies
$0.57
BSC072N03LDGATMA1
Infineon Technologies
$0