Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов
EPC2105ENG
| Производителей: | EPC |
|---|---|
| Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Лист данных: | EPC2105ENG |
| Описание: | GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE |
| Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производителя | EPC |
| Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Серии | eGaN® |
| Тип FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Упаковки | Bulk |
| Функция FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Статус части | Discontinued at Digi-Key |
| Мощность - Макс | - |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет / Дело | Die |
| Vgs (th) (Max) | 2.5V @ 2.5mA |
| Операционная температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Макс) - Id, Vgs | 14.5mOhm @ 20A, 5V |
| Пакет устройств поставщика | Die |
| Заряд ворот (Кг) (Макс) | 2.5nC @ 5V |
| Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 80V |
| Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 300pF @ 40V |
| Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 9.5A, 38A |
На складе 78 pcs
| Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Минимальный: 1
Запрос Цитата
Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее
Bargain Finds
