Image is for reference only , details as Specifications

EPC2105ENGRT

Производителей: EPC
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных: EPC2105ENGRT
Описание: GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя EPC
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии eGaN®
Тип FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Упаковки Digi-Reel®
Функция FET GaNFET (Gallium Nitride)
Статус части Active
Мощность - Макс -
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело Die
Vgs (th) (Max) 2.5V @ 2.5mA
Операционная температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 14.5mOhm @ 20A, 5V
Пакет устройств поставщика Die
Заряд ворот (Кг) (Макс) 2.5nC @ 5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 80V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 300pF @ 40V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 9.5A

На складе 242 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

TC1550TG-G
Lanka Micro
$0
SQ3585EV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
$0