Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

EPC2108

Производителей: EPC
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных: EPC2108
Описание: GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя EPC
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии eGaN®
Тип FET 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Упаковки Digi-Reel®
Функция FET GaNFET (Gallium Nitride)
Статус части Discontinued at Digi-Key
Мощность - Макс -
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 9-VFBGA
Vgs (th) (Max) 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Операционная температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Пакет устройств поставщика 9-BGA (1.35x1.35)
Заряд ворот (Кг) (Макс) 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 60V, 100V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 1.7A, 500mA

На складе 58 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

QS8K11TCR
ROHM Semiconductor
$0
IRF7306TR
Infineon Technologies
$0.77
ZDM4306NTA
Diodes Incorporated
$0.77
ZDM4306NTC
Diodes Incorporated
$0
DMC1016UPD-13
Diodes Incorporated
$0