EPC2108
Производителей: | EPC |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Лист данных: | EPC2108 |
Описание: | GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | EPC |
Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Серии | eGaN® |
Тип FET | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
Упаковки | Digi-Reel® |
Функция FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
Статус части | Discontinued at Digi-Key |
Мощность - Макс | - |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет / Дело | 9-VFBGA |
Vgs (th) (Max) | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
Операционная температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Макс) - Id, Vgs | 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V |
Пакет устройств поставщика | 9-BGA (1.35x1.35) |
Заряд ворот (Кг) (Макс) | 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 60V, 100V |
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 22pF @ 30V, 7pF @ 30V |
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 1.7A, 500mA |
На складе 58 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Минимальный: 1