Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

EPC2110

Производителей:	EPC
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных:	EPC2110
Описание:	GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	EPC
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии	eGaN®
Тип FET	2 N-Channel (Dual) Common Source
Упаковки	Digi-Reel®
Функция FET	GaNFET (Gallium Nitride)
Статус части	Active
Мощность - Макс	-
Пакет / Дело	Die
Vgs (th) (Max)	2.5V @ 700µA
Операционная температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	60mOhm @ 4A, 5V
Пакет устройств поставщика	Die
Заряд ворот (Кг) (Макс)	0.8nC @ 5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	120V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	80pF @ 60V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	3.4A