Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

MURTA600120R

Производителей: GeneSiC Semiconductor
Категория продукции: Diodes - Rectifiers - Arrays
Лист данных: MURTA600120R
Описание: DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя GeneSiC Semiconductor
Категория продукции Diodes - Rectifiers - Arrays
Скорость Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Серии -
Упаковки Bulk
Тип диода Standard
Статус части Active
Тип монтажа Chassis Mount
Пакет / Дело Three Tower
Конфигурация диодов 1 Pair Common Anode
Пакет устройств поставщика Three Tower
Текущий - Обратная утечка - Vr 25µA @ 1200V
Напряжение - DC Обратный (Vr) (Макс) 1200V
Операционная температура - Развязка -55°C ~ 150°C
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) 2.6V @ 300A
Текущий - Средний Rectified (Io) (за диод) 300A

На складе 69 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$139.17 $136.39 $133.66
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

MURTA600120
GeneSiC Semiconductor
$139.17
MURTA60060R
GeneSiC Semiconductor
$139.17
MURTA60060
GeneSiC Semiconductor
$139.17
MURTA60040R
GeneSiC Semiconductor
$139.17
MURTA60040
GeneSiC Semiconductor
$139.17