Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

GP1M009A090N

Производителей: Global Power Technologies Group
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: GP1M009A090N
Описание: MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Global Power Technologies Group
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии -
Тип FET N-Channel
Упаковки Tube
Vgs (Макс) ±30V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Obsolete
Тип монтажа Through Hole
Пакет / Дело TO-3P-3, SC-65-3
Vgs (th) (Max) 4V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 1.4Ohm @ 4.75A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 312W (Tc)
Пакет устройств поставщика TO-3PN
Заряд ворот (Кг) (Макс) 65nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 900V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 2324pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 9.5A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 76 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

GP1M009A090FH
Global Power Technologies Group
$0
GP1M009A060H
Global Power Technologies Group
$0
GP1M009A020FG
Global Power Technologies Group
$0
GP1M008A080H
Global Power Technologies Group
$0
GP1M008A050HG
Global Power Technologies Group
$0