GP2M009A090NG
Производителей: | Global Power Technologies Group |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Лист данных: | GP2M009A090NG |
Описание: | MOSFET N-CH 900V 9A TO3PN |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | Global Power Technologies Group |
Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Серии | - |
Тип FET | N-Channel |
Упаковки | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Макс) | ±30V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Функция FET | - |
Статус части | Obsolete |
Тип монтажа | Through Hole |
Пакет / Дело | TO-3P-3, SC-65-3 |
Vgs (th) (Max) | 4V @ 250µA |
Операционная температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Макс) - Id, Vgs | 1.4Ohm @ 4.5A, 10V |
Рассеивание мощности (Макс) | 312W (Tc) |
Пакет устройств поставщика | TO-3PN |
Заряд ворот (Кг) (Макс) | 72nC @ 10V |
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 900V |
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 2740pF @ 25V |
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 9A (Tc) |
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) | 10V |
На складе 75 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Минимальный: 1