Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

GPA015A120MN-ND

Производителей: Global Power Technologies Group
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Single
Лист данных: GPA015A120MN-ND
Описание: IGBT 1200V 30A 212W TO3PN
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Global Power Technologies Group
Категория продукции Transistors - IGBTs - Single
Серии -
Тип IGBT NPT and Trench
Упаковки Tube
Тип ввода Standard
Плата за ворота 210nC
Статус части Active
Мощность - Макс 212W
Тип монтажа Through Hole
Пакет / Дело TO-3P-3, SC-65-3
Условие тестирования 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Энергия переключения 1.61mJ (on), 530µJ (off)
Td (в/выкл) 25ns/166ns
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет устройств поставщика TO-3PN
Vce (на) (Макс) 2.5V @ 15V, 15A
Обратное время восстановления (trr) 320ns
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 30A
Текущий - Коллектор Пульсированный (Icm) 45A
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1200V

На складе 96 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.46 $1.43 $1.40
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

STGB30H65FB
STMicroelectronics
$1.45
IGA03N120H2XKSA1
Infineon Technologies
$1.44
IRG4BC20KDPBF
Infineon Technologies
$1.44
SKB02N120ATMA1
Infineon Technologies
$1.43
SGF23N60UFTU
ON Semiconductor
$1.43