Image is for reference only , details as Specifications

GPA020A120MN-FD

Производителей: Global Power Technologies Group
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Single
Лист данных: GPA020A120MN-FD
Описание: IGBT 1200V 40A 223W TO3PN
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Global Power Technologies Group
Категория продукции Transistors - IGBTs - Single
Серии -
Тип IGBT Trench Field Stop
Упаковки Tube
Тип ввода Standard
Плата за ворота 210nC
Статус части Active
Мощность - Макс 223W
Тип монтажа Through Hole
Пакет / Дело TO-3
Условие тестирования 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Энергия переключения 2.8mJ (on), 480µJ (off)
Td (в/выкл) 30ns/150ns
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет устройств поставщика TO-3PN
Vce (на) (Макс) 2.5V @ 15V, 20A
Обратное время восстановления (trr) 425ns
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 40A
Текущий - Коллектор Пульсированный (Icm) 60A
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1200V

На складе 61 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.60 $1.57 $1.54
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

IGP20N60H3XKSA1
Infineon Technologies
$1.56
SKP02N120XKSA1
Infineon Technologies
$1.54
IKB20N60H3ATMA1
Infineon Technologies
$1.54
IRGC4060B
Infineon Technologies
$1.51
IRGC4056B
Infineon Technologies
$1.51