Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

GPA030A135MN-FDR

Производителей: Global Power Technologies Group
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Single
Лист данных: GPA030A135MN-FDR
Описание: IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Global Power Technologies Group
Категория продукции Transistors - IGBTs - Single
Серии -
Тип IGBT Trench Field Stop
Упаковки Tube
Тип ввода Standard
Плата за ворота 300nC
Статус части Active
Мощность - Макс 329W
Тип монтажа Through Hole
Пакет / Дело TO-3
Условие тестирования 600V, 30A, 5Ohm, 15V
Энергия переключения 4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
Td (в/выкл) 30ns/145ns
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет устройств поставщика TO-3PN
Vce (на) (Макс) 2.4V @ 15V, 30A
Обратное время восстановления (trr) 450ns
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 60A
Текущий - Коллектор Пульсированный (Icm) 90A
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1350V

На складе 98 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.39 $2.34 $2.30
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

MGD623N
Sanken
$2.39
AOK15B60D
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$2.36
STGWA8M120DF3
STMicroelectronics
$2.35
STGWF30NC60S
STMicroelectronics
$2.35
FGA6530WDF
ON Semiconductor
$2.35