Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

GSID100A120T2C1

Производителей: Global Power Technologies Group
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: GSID100A120T2C1
Описание: SILICON IGBT MODULES
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Global Power Technologies Group
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Three Phase Bridge Rectifier
Серии Amp+™
Тип IGBT -
Статус части Active
Мощность - Макс 640W
Конфигурации Three Phase Inverter
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор Yes
Пакет / Дело Module
Операционная температура -40°C ~ 150°C
Пакет устройств поставщика Module
Vce (на) (Макс) 2.1V @ 15V, 100A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 200A
Вхотогие емки (Cies) 13.7nF @ 25V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 1mA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1200V

На складе 79 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$122.66 $120.21 $117.80
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

FZ400R17KE4HOSA1
Infineon Technologies
$122.57
FP100R07N3E4BOSA1
Infineon Technologies
$122.53
MKI100-12F8
IXYS
$120.82
GSID100A120S5C1
Global Power Technologies Group
$119.47
MWI75-12T8T
IXYS
$119.12